无带隙问题的缺陷形成能：结合 DFT 与 GW 计算硅自间隙
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们提出了一种改进的缺陷形成能计算方法，克服了 Kohn-Sham 密度泛函理论 (DFT) 的带隙问题，并减小了 DFT 局域密度近似 (LDA) 的自相互作用误差。我们以硅自间隙为例证明，将 LDA 与 G0W0 方法中的准粒子能量计算相结合，会使中性电荷态的缺陷形成能增加约 1.1 eV，这与扩散 Monte Carlo 计算结果吻合良好 (E. R. Batista et al. Phys. Rev. B 74, 121102(R) (2006), W.-K. Leung et al. Phys. Rev. Lett. 83, 2351 (1999))。此外，G0W0 校正的电荷跃迁能级与最近的实验测量结果符合良好。
引用
@article{arxiv.0812.2492,
title = {Defect Formation Energies without the Band-Gap Problem: Combining DFT and GW for the Silicon Self-Interstitial},
author = {Patrick Rinke and Anderson Janotti and Matthias Scheffler and Chris G. Van de Walle},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.2492},
year = {2009}
}
备注
4 pages including 3 figures; related publications can be found at http://www.fhi-berlin.mpg.de/th/th.html