半填充 Chern 带中电磁响应：接近拓扑临界性

我们评估了半填充 Chern 带中的电磁响应可观测量，跨越着由复合费米液体（CFL）和费米液体（FL）相之间的拓扑相变。虽然深入 CFL 相中存在尖锐的空洞等离子体模式，但我们展示在CFL 与 FL 之间的 proposed 连续相变临近时，该等离子体模式会被消耗。这一等离子体消耗现象源于涌现的规范场和类似 Dirac 费米子的谱。类似特征也发生在其他连续解离拓扑相变中，例如玻色系统中的 Laughlin 相变到超流相变。具体而言，这种消耗行为在相边界上延续一定范围，因此即使该相变是弱第一性的，我们也期待它会持续存在。此外，我们分析了 Drude 权重、波矢相关电导率以及跨越这些拓扑相变的手性镜像效应的行为。