异丙醇对金辅助化学刻蚀硅微结构的影响
应用物理
2017-06-26 v1 材料科学
摘要
湿法刻蚀是半导体器件制造中不可或缺且复杂的一步。金属辅助化学刻蚀（MacEtch）本质上是一种湿法但各向异性的刻蚀方法。在 MacEtch 技术中，仍存在诸多未解决的挑战，阻碍了高深宽比半导体微纳结构的优化制备，例如非期望刻蚀、催化剂运动不可控、无金属区域的非均匀性及微孔率。本文提出了一种使用纳米结构 Au 催化剂的优化 MacEtch 工艺，用于制备 Si 高深宽比微结构。在 HF-H2O2 水溶液中加入异丙醇作为表面活性剂，改善了刻蚀的均匀性及 H2 气体释放的控制。额外的 KOH 刻蚀最终去除了 MacEtch 通过纳米多孔催化剂薄膜留下的多余纳米线。我们证明了添加异丙醇有利于降低刻蚀速率和刻蚀结构的纳米孔隙率，且二者随异丙醇浓度呈单调递减。
引用
@article{arxiv.1706.07590,
title = {Effect of Isopropanol on Gold Assisted Chemical Etching of Silicon Microstructures},
author = {Lucia Romano and Joan Vila-Comamalab and Konstantins Jefimovs and Marco Stampanoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.07590},
year = {2017}
}