用于硅微结构释放的二氧化硅各向异性气相 HF 刻蚀
材料科学
2012-07-11 v1
摘要
通过离子注入在二氧化硅牺牲层中造成损伤，以提高二氧化硅在液相和气相氢氟酸中的刻蚀速率。在气相氢氟酸（VHF）中，注入与未注入二氧化硅的刻蚀速率比超过 150。这一特性对于大幅减少微机电系统锚点的侧向刻蚀具有重要意义。基于实验提取的未注入和注入二氧化硅的刻蚀速率，可以通过模拟预测牺牲层的图形化。
引用
@article{arxiv.1207.2402,
title = {Anisotropic Vapor HF etching of silicon dioxide for Si microstructure release},
author = {Vikram Passi and Ulf Sodervall and Bengt Nilsson and Goran Petersson and Mats Hagberg and Christophe Krzeminski and Emmanuel Dubois and Bert Du Bois and Jean-Pierre Raskin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.2402},
year = {2012}
}