利用MA2Z4单层中窄带宽材料设计低功耗晶体管
介观与纳米尺度物理
2022-11-18 v1 材料科学
其他凝聚态物理
摘要
晶体管中的亚阈值泄漏电流已成为实现超低功耗晶体管的关键限制因素。泄漏电流主要由载流子的长热尾决定。我们提出一种解决方案:使用窄带宽半导体,通过滤除高能载流子来限制热离子泄漏电流。我们具体在以不同钝化的横向受限单层MoSi2N4为沟道材料的晶体管中展示了该方案。值得注意的是,我们发现所提出的窄带宽器件即便在5 nm栅长下,也能以0.1 V超低电源电压实现大开关电流比。我们还表明,同一系列中若干其他材料也具有窄带宽导带与价带的独特电子特性。
引用
@article{arxiv.2211.09540,
title = {Designing power efficient transistors using narrow bandwidth materials from the MA2Z4 monolayer series},
author = {Keshari Nandan and Somnath Bhowmick and Yogesh S. Chauhan and Amit Agarwal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.09540},
year = {2022}
}
备注
11 pages with 4 figures