(Ga,Mn)As 纳米线和纳米环中的退相干
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 无序系统与神经网络
摘要
为了理解铁磁半导体中的量子力学输运，相位相干长度及相应的退相干机制等基本材料性质是不可或缺的要素。迄今为止，可观测量子现象的缺乏阻碍了对这些量的实验探测。在此，我们报告了在铁磁 (Ga,Mn)As 中观察到普适电导涨落的现象。对涨落的长度和温度依赖性的分析表明，退相干时间具有 的依赖关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603418,
title = {Dephasing in (Ga,Mn)As nanowires and rings},
author = {K. Wagner and D. Neumaier and M. Reinwald and W. Wegscheider and D. Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603418},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures