InGaAs 开放量子点中的长退相干时间与高温弹道输运
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们报道了在 1.3K 至 204K 之间对开放圆形 InGaAs 量子点磁电导的测量。我们观察到两类磁电导涨落：普适电导涨落（UCFs），以及与开口间弹道轨迹相关的“聚焦”涨落。从 UCFs 振幅提取的电子相位相干时间大于 GaAs/AlGaAs 量子点中的对应值，并呈现相似的温度依赖性（介于 T^-1 和 T^-2 之间）。在 150K 以下，与“聚焦”涨落相关的特征长度表现出与电导率略有不同的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210093,
title = {Long dephasing time and high temperature ballistic transport in an InGaAs open quantum dot},
author = {B. Hackens and S. Faniel and F. Delfosse and C. Gustin and H. Boutry and I. Huynen and X. Wallaert and S. Bollaert and A. Cappy and V. Bayot},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210093},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 4 figures, proceedings of ICSNN2002, to appear in Physica E