GaAs开放量子点中二维空穴的退相干时间
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报道了在GaAs量子阱上制备的开放量子点中二维空穴的磁输运测量,这些量子点被图案化为单点或点阵列。对于温度低于500 mK,我们观察到相干输运的特征,即电导涨落和弱反局域化。利用随机矩阵理论,从这些效应中提取了空穴退相干时间。虽然表现出介于和之间的温度依赖性,与电子的报道相似,但其值被发现大约小一个数量级。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609664,
title = {Dephasing Time of Two-Dimensional Holes in GaAs Open Quantum Dots},
author = {S. Faniel and B. Hackens and A. Vlad and L. Moldovan and C. Gustin and B. Habib and S. Melinte and M. Shayegan and V. Bayot},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609664},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures