InMnAs结构中的介观电导效应

S. Lee; A. Trionfi; T. Schallenberg; H. Munekata; D. Natelson

doi:10.1063/1.2432165

InMnAs结构中的介观电导效应

介观与纳米尺度物理 2007-05-23 v2 无序系统与神经网络

作者: S. Lee , A. Trionfi , T. Schallenberg , H. Munekata , D. Natelson

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摘要

磁性半导体电导的量子修正相对而言尚未得到充分探索。我们报告了在由两种不同的In $_{1-x}$ Mn $_{x}$ As薄膜制备的微米级结构中，时间依赖的普适电导涨落(TDUCF)和磁场依赖的普适电导涨落(MFUCF)的测量结果。观察到TDUCF和MFUCF的幅度随温度降低而增大。在4 K及以下温度，有限磁场下TDUCF受到抑制，且与磁场方向无关。

关键词

普适电导涨落磁性半导体 InMnAs薄膜量子修正介观输运时间依赖涨落磁场依赖性

引用

@article{arxiv.cond-mat/0608036,
  title  = {Mesoscopic conductance effects in InMnAs structures},
  author = {S. Lee and A. Trionfi and T. Schallenberg and H. Munekata and D. Natelson},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608036},
  year   = {2007}
}

备注

5 pages, 3+2 figures, 1 table; Appl. Phys. Lett. (in press)

InMnAs结构中的介观电导效应

摘要

关键词

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