MnBi$_2$Te$_4$ 薄膜中的普适电导涨落
介观与纳米尺度物理
2023-08-03 v1
摘要
电子的量子相干可在介观导体中产生显著行为，包括弱局域化和 Aharonov-Bohm 效应。尽管磁有序也会强烈影响输运，但相干与磁有序的结合在很大程度上尚未被探索。在此，我们研究了拓扑材料 MnBiTe 薄膜的反铁磁、倾斜反铁磁和铁磁相中由量子相干驱动的普适电导涨落。在每个磁相中，我们提取出约 100 nm 的载流子相位相干长度。当在单一磁相内扫描外加磁场时，电导磁指纹是可重复的，但当外加磁场跨越反铁磁/倾斜反铁磁磁相边界时会发生变化。令人惊讶的是，在反铁磁和倾斜反铁磁相中（而非铁磁相中），磁指纹依赖于磁场扫描的方向。为解释这些观测，我们提出电导涨落测量对 MnBiTe 中磁畴壁的运动和成核敏感。
引用
@article{arxiv.2308.01183,
title = {Universal conductance fluctuations in a MnBi$_2$Te$_4$ thin film},
author = {Molly P. Andersen and Evgeny Mikheev and Ilan T. Rosen and Lixuan Tai and Peng Zhang and Kang L. Wang and Marc A. Kastner and David Goldhaber-Gordon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.01183},
year = {2023}
}