选择性生长拓扑绝缘体纳米带中的相位相干回路

普适电导涨落与弱反局域化效应是由电子干涉引起的磁电导中缺陷结构特异的指纹。本文给出实验证据，表明通过分子束外延选择性生长的当前拓扑绝缘体 (Bi$_{0.57}$Sb$_{0.43}$)$_2$Te$_3$ 纳米带中的电导涨落是由定义明确且清晰分辨的相位相干回路引起的。由不同磁场倾斜角度下的测量我们推断，这些回路优先平行于拓扑绝缘体材料的五重层取向。从普适电导涨落的理论分析以及低温下测量的弱反局域化中均提取出电子相位相干长度 $l_\phi$，且发现前者情况下该长度更大。讨论了这一偏差的可能原因。