任意维度精质黑洞的偏转角和阴影行为

受 M 理论/超弦启发模型的推动, 我们研究了与两个暗能量 (DE) 状态参数值 $\omega=-\frac{1}{3}$ 和 $\omega=-\frac{2}{3}$ 相关的高维精质黑洞的偏转角和阴影几何形状的一些行为。具体地, 我们导出了此类背景上光子的测地线方程。借助对应于光学度量的 Gauss-Bonnet 定理, 我们在所谓的弱极限近似下计算了偏转角的首项。此后, 我们考察了 DE 和时空维度 d 对计算所得光学量的影响。通过场强 c 和状态参数 $\omega$ 引入 DE, 我们发现阴影尺寸和偏转角随场强 c 值的增大而增大。然而, 我们观察到高维度减小了此类量, 对于表现出类似行为的 $\omega$-模型亦然。接着, 我们通过讨论相关行为, 考虑了黑洞电荷对这些光学量的影响。本研究恢复了普通四维模型中出现的一些已知结果。