用于低本底物理探测中电子学器件的圆柱薄膜

展示了一种在圆柱形基底上制造薄膜电阻的技术。这些器件旨在应用于稀有事件探测器，此类探测器必须最小化探测器内部电子元件中痕量杂质带来的放射性本底。通过电子束沉积结合基底旋转机制制备了圆柱形导电 Ni 薄膜，以证明原理并测量轴向与方位向电阻率。采用类 Van Der Pauw 法结合静电模拟对这些薄膜进行表征。在制备的两个圆柱样品中，我们观察到各向异性电学行为，其方位向电阻率分别为 1392.5、888.5 $n \Omega m$，轴向电阻率分别为 81.9、72.8 $n \Omega m$。我们测量了以相同工艺但不旋转制备的平面矩形样品，其两方向估计电阻率分别为 66.5 和 71.9 $n \Omega m$，用标准 Van der Pauw 方程计算出的电阻率为 $66.1\pm2.8$ $n \Omega m$，表明该各向异性并非仅由电子束蒸发造成。尽管圆柱样品存在各向异性，我们证明这些薄膜可用作电阻。