铜间嵌体化 1T'-MoS2及其电绝缘行为
材料科学
2025-02-04 v1
摘要
间嵌的二维(2D)过渡金属二硫化物(TMDCs)因其可设计的结构和新特性而受到广泛关注。在这一系列材料中,对称性较低的1T'相TMDCs尤为有趣,因为其潜在诱导非常规现象。然而,此类系统通常质量较低且稳定性差,阻碍了其结构性质关系和应用的进一步研究。本文将Cu间嵌入1T' MoS2中,实现高晶体性和高热稳定性(最高可达约300°C)。我们首次识别了Cu间嵌剂的分布与排列,结果显示,Cu占据部分与Mo位点对齐的四面体间隙。获得的Cu-1T' MoS2表现出绝缘隧穿传输行为,其电阻温度系数达到-4 ~ -2 % K-1。这项工作拓宽了人工间嵌结构库,并推动了层状材料的结构设计和性质调制。
引用
@article{arxiv.2502.00440,
title = {Cu Intercalation-stabilized 1T'-MoS2 with Electrical Insulating Behavior},
author = {Huiyu Nong and Junyang Tan and Yujie Sun and Rongjie Zhang and Yue Gu and Qiang Wei and Jingwei Wang and Yunhao Zhang and Qinke Wu and Xiaolong Zou and Bilu Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.00440},
year = {2025}
}
备注
20 pages, 4 figures. Accepted