MoS2 下插层 Cu 的非同寻常平坦扩展形貌
材料科学
2022-09-23 v2
摘要
我们开发了一种通过可控密度的溅射缺陷在层状材料下插层金属的一般方法。该方法已应用于研究石墨下插层的一系列金属并实现了不同类型的形貌。在当前工作中，我们将该方法扩展到 MoS2 下的插层研究，注意到关于该体系的工作相当有限。我们使用 Cu 作为原型金属，以与石墨下的 Cu 插层进行比较。尽管石墨和 MoS2 下插层所需的生长条件相似，但插层相的类型非常不同。在 Cu 沉积过程中，每个在 MoS2 顶部成核的 Cu 岛提供通过岛基底下的溅射缺陷转移到 MoS2 下方的物质；该转移导致形成均匀插层的 Cu“地毯”形貌，延伸至介观尺度。相反，石墨下的 Cu 插层形成分离良好的致密岛，由顶部小 Cu 岛的单体脱附并通过远离岛的缺陷转移到底部而成。使用结构技术（扫描电子显微镜和原子力显微镜）与光谱技术（X 射线光电子能谱和能量色散谱）对插层 Cu 层进行表征。
引用
@article{arxiv.2205.06721,
title = {Unusual flat and extended morphology of intercalated Cu under MoS2},
author = {Dapeng Jing and Yong Han and James W. Evans and Marek Kolmer and Zhe Fei and Michael C. Tringides},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.06721},
year = {2022}
}