随机场 O(N) 模型的临界指数
无序系统与神经网络
2007-05-23 v1 统计力学
摘要
随机场 Ising 模型的临界行为长期以来一直是谜题。不同的理论方法预测，随机场磁性体在 D 维度的临界指数与纯质 (D-2) 维磁性体（具有相同磁化分量数）的临界指数相同。该结果与实验和模拟结果相矛盾。我们采用 (4+ε) 展开法计算了随机场 O(N) 模型的临界指数，得到的值与 2+ε 维纯磁性体的临界指数不同。与以往方法不同，我们考虑了一个在该问题中出现的无限相关算子集合。我们展示了这些此前被忽略的相关算子如何导致随机场 Ising 模型的 (6-ε) 展开失效。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010012,
title = {Critical exponents of the random-field O(N) model},
author = {D. E. Feldman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010012},
year = {2007}
}
备注
5 pages