超高真空兼容溅射沉积源的构建与评估
材料科学
2018-03-15 v1
摘要
本文描述了一种用于超高真空（UHV）的溅射沉积源，并分析了该源的一些特性。其工作原理基于Mayr等人[Rev. Sci. Instrum. 84, 094103 (2013)]开发的设计，其中由灯丝发射的电子使氩气电离，Ar离子被加速至靶材。与原始设计不同，使用了两层栅极以将大部分Ar离子导向靶材，并且该源具有液氮冷却外壳以减少污染。该源已用于锆的沉积，这是一种在标准UHV蒸发器中难以蒸发的材料。在UHV腔室中Ar压力为 mbar且中等发射电流下，在基底处（距靶材约50 mm）实现了约250秒1个单层的高度可重复沉积速率。更高的沉积速率也容易实现。X射线光电子能谱显示沉积膜具有高纯度。根据栅极电压的不同，基底会被Ar离子轻微溅射；此外，来自负偏压溅射靶的电子也会到达基底。
引用
@article{arxiv.1710.06377,
title = {Construction and evaluation of an ultrahigh-vacuum-compatible sputter deposition source},
author = {Peter Lackner and Joong Il Jake Choi and Ulrike Diebold and Michael Schmid},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.06377},
year = {2018}
}
备注
Review of Scientific Instruments, accepted (2017)