用于 $^{229(m)}$Th 束流制备的 $^{233}$U $\alpha$ 反冲源表征

放射性 $^{233}$U $\alpha$ 反冲源正被考虑用于制备钍离子源，以在于韦斯屈莱大学 IGISOL 设施上通过高分辨率共线激光光谱研究 $^{229}$Th 中的低能同核异构态。本工作中，通过直接取自源以及嵌入植入箔中的 $\alpha$ 反冲物的衰变辐射的 $\alpha$ 与 $\gamma$ 能谱，对两种不同的 $^{233}$U 源进行了表征。这些测量显示 $^{229}$Th 反冲效率相当低，仅百分之几。尽管其中一处源的低效率可归因于其固有厚度，但第二处较薄源的低反冲效率出乎意料。采用卢瑟福背散射谱（RBS）探究了作为深度函数的元素组成，揭示出薄源顶部存在污染层。谱学方法的组合被证明是评估 $\alpha$ 反冲源性能普遍有用的途径。