具有自旋轨道杂质的拓扑绝缘体的电导修正：一个新的 Hikami-Larkin-Nagaoka 公式
介观与纳米尺度物理
2015-12-09 v1
摘要
Hikami-Larkin-Nagaoka (HLN) 公式 [Prog. Theor. Phys. 63, 707 (1980)] 描述了具有抛物线色散的准二维电子气（quasi-2DEG）磁电导的量子修正。它预测了随着自旋轨道杂质散射强度的变化，从弱局域化到反局域化的交叉。在此，我们推导了在存在自旋轨道杂质时，3D 拓扑绝缘体（TIs）中无质量 Dirac 费米子的电导修正。我们表明该修正恒为正，因此预测对于任意强度的自旋轨道无序均出现弱反局域化。此外，对扩散常数的修正随杂质自旋轨道强度出奇地呈线性。我们的结果要求对迄今使用标准 HLN 公式的 3D TIs 磁电导实验拟合进行重新解释。
引用
@article{arxiv.1507.06892,
title = {Conductivity Corrections for Topological Insulators with Spin-Orbit Impurities: A New Hikami-Larkin-Nagaoka Formula},
author = {P. Adroguer and Weizhe E. Liu and D. Culcer and E. M. Hankiewicz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06892},
year = {2015}
}