层状掺杂莫特绝缘体中的相干与非相干输运

H. C. Lee; P. B. Wiegmann

doi:10.1103/PhysRevB.53.11817

层状掺杂莫特绝缘体中的相干与非相干输运

凝聚态物理 2009-10-28 v1

作者: H. C. Lee , P. B. Wiegmann

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摘要

存在强有力的实验证据表明，随着 \lan 化合物的过度掺杂，会发生从二维到三维的维度交叉。在本文中，我们在规范理论框架内描述了层状关联金属的维度交叉。特别是，我们得到了在过度掺杂的 \lan 中观察到的电阻率温度依赖性的反常指数 3/2。

关键词

维度交叉层状关联金属规范理论电阻率反常指数掺杂莫特绝缘体

引用

@article{arxiv.cond-mat/9510173,
  title  = {Coherent versus Incoherent Transport in Layered Doped Mott Insulators},
  author = {H. C. Lee and P. B. Wiegmann},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9510173},
  year   = {2009}
}

备注

RevTex, 21 pages, no figures. Submitted to Phys. Rev. B

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