具有光刻兼容接触的洁净 BN 封装二维 FETs

通过超洁净六方氮化硼（BN）封装进行器件钝化已被证明是构建具有原子薄半导体的高品质器件、保持超洁净界面质量和本征电荷输运行为的最有效方法之一。然而，将具有灵活分布与图案的光刻兼容接触电极集成其中仍具挑战。本文中，我们报告了将光刻定义接触直接集成到 BN 封装二维 FETs 中的可行性，其整体器件质量可与耗时纯干法转移工艺的最先进结果相媲美。对由 WSe$_2$ 和 MoS$_2$ 沟道构成的 FETs 的电子表征揭示出平均约 2 mV 的极低扫描滞回、约 $10^{11}\,$cm$^{-2}$ 的低界面带电杂质密度，以及低温下普遍高于 $1000\,$cm$^{2}\cdot$V$^{-1}\cdot$s$^{-1}$ 的电荷迁移率。整体高器件质量验证了将光刻定义接触直接集成到 BN 封装器件中以利用其本征电荷输运特性开发先进电子学的可行性。