欧洲 XFEL 硅像素传感器面临的挑战
仪器与探测器
2015-06-12 v1 高能物理 - 实验
摘要
本文对欧洲 XFEL（X射线自由电子激光装置）硅像素传感器面临的主要挑战进行了系统的实验研究。X射线的高瞬时密度和 XFEL 脉冲的高重复频率导致等离子体效应引起的信号畸变和严重的辐射损伤。研究确定了 X 射线辐射损伤的主要参数，并考察了它们对 p+n 传感器的影响。这些研究构成了为欧洲 XFEL 实验优化设计像素传感器的基础。
引用
@article{arxiv.1212.5045,
title = {Challenges for Silicon Pixel Sensors at the European XFEL},
author = {Robert Klanner and Julian Becker and Eckhart Fretwurst and Ioana Pintilie and Thomas Poehlsen and Jörn Schwandt and Jiaguo Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.5045},
year = {2015}
}