平面硅传感器中等离子体效应的模拟与实验研究
仪器与探测器
2016-08-14 v2
摘要
在硅传感器中，与低电荷载流子密度情况相比，高密度电子-空穴对会导致电流脉冲形状和收集电荷空间分布发生变化。本文利用660 nm激光产生不同密度的电子-空穴对，对平面硅传感器上的数值模拟与时分辨电流测量进行了详细比较。
引用
@article{arxiv.1007.4433,
title = {Simulation and Experimental Study of Plasma Effects in Planar Silicon Sensors},
author = {Julian Becker and Klaus Gärtner and Robert Klanner and Rainer Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.4433},
year = {2016}
}
备注
Revised Version after peer-review