二维 Floquet 拓扑绝缘体的体-边对应

Floquet 拓扑绝缘体描述了在时间周期哈密顿量驱动下脱离平衡的晶格上的独立电子，超越了通常的绝热近似。在二维情形下，这类系统以与酉传播子相关联的整数值拓扑指标为特征，这些指标可在样品的体中或边缘处定义。在本文中，我们给出了这两个指标的新定义，这些定义既不依赖于平移不变性，也不依赖于平均化，并证明了它们是相等的。特别是，弱无序和缺陷被内禀地考虑在内。最后，当两个受驱动的样品在空间或时间上相邻放置时，可以定义指标并证明它们相等。边缘指标被解释为在与有效真空界面处发生的量子化泵浦。