旋转对称拓扑绝缘体与超导体中旋错处的体-边界-缺陷对应
介观与纳米尺度物理
2021-04-28 v3 强关联电子
摘要
我们通过旋错（仅在局部破坏旋转对称性的拓扑晶格缺陷）处反常态的存在，研究基态拓扑与晶格拓扑之间的联系。我们首先通过 Volterra 过程展示了在二阶拓扑相中反常旋错态（如 Majorana 零模或螺旋电子态）的存在。利用拓扑晶体框架构造具有旋转和平移对称性的 维晶体拓扑相，我们随后辨识了来自弱拓扑相和一级拓扑相对 维反常旋错态的所有贡献。我们对二维和三维拓扑绝缘体与超导体的所有 Cartan 对称类执行此过程，并确定体拓扑、边界特征与旋错反常之间的对应是否唯一。
引用
@article{arxiv.2007.13781,
title = {Bulk-boundary-defect correspondence at disclinations in rotation-symmetric topological insulators and superconductors},
author = {Max Geier and Ion Cosma Fulga and Alexander Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.13781},
year = {2021}
}
备注
v3: 45 + 26 pages, 16 + 7 figures, minor revision for clarifications and improved readability. v2: 38 + 25 pages, 15 + 7 figures, format for scipost submission, updated references. v1: 19 + 15 pages, 15 + 7 figures