铅硫族化物中的带隙异常与拓扑性质
材料科学
2016-02-26 v1
摘要
带隙异常是铅硫族化物PbX（X=S, Se, Te, Po）中的一个著名问题。结合第一性原理计算和紧束缚（TB）方法，我们研究了PbX中的能带演化，发现PbTe中的带隙异常主要与Te 5s轨道的高在位能以及由Te 5s电子不规则扩展分布所引起的大s-p跳跃有关。此外，我们的计算表明PbPo是一种间接带隙（6.5 meV）半导体，在L点存在能带反转，这明确表明PbPo是一种拓扑晶体绝缘体（TCI）。计算得到的镜像陈数和表面态双重确认了这一结论。
引用
@article{arxiv.1510.07823,
title = {Band gap anomaly and topological properties in lead chalcogenides},
author = {Simin Nie and Xiao Yan Xu and Gang Xu and Zhong Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.07823},
year = {2016}
}
备注
7 pages and 4 figures