掺杂孤子在伊辛反磁体中的异常本征态
强关联电子
2025-12-02 v1 量子气体
量子物理
摘要
将一个可移动空穴掺入反磁性Mott绝缘体的问题,被认为是解释从重费米子到高温超导体等多个典型强相关电子系统的丰富物理现象所致。 arguably最简单的这种问题对应于掺杂伊辛反磁体,自从约60年 ago以来,已被广泛认为是基本解决的,该问题被一种流行且近似的映射到Bethe格子上的单粒子问题所支配。然而,我们显示,尽管其看似简单,单个孔在经典伊辛-尼尔态的局部谱中包含一系列异常的、长寿命的本征态,这些态超越了已知的梯形谱,后者的激发能间隔为 。我们通过精确对角化和自我回避路径近似法发现这些异常态,其激发能大约随 线性增长,并导致其与更显著的梯形谱出现一系列规避交叉。通过计算不同的局部、旋转谱,我们解释这些异常态的来源,认为其根源于问题近似意外产生的局部 对称性。从其直接的谱特征,我们进一步得出结论,这些态导致异常缓慢的热化行为——因此代表一种新的量子多体scar态,可能与lattice gauge theories中预测的多体scars有关。
引用
@article{arxiv.2512.01815,
title = {Anomalous Eigenstates of a Doped Hole in the Ising Antiferromagnet},
author = {Piotr Wrzosek and Krzysztof Wohlfeld and Eugene A. Demler and Annabelle Bohrdt and Fabian Grusdt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.01815},
year = {2025}
}
备注
15 pages, 3 appendices