莫特绝缘体 Sr$_{2}$IrO$_{4}$ 中的双极性输运与磁阻交叉
强关联电子
2016-11-28 v2
摘要
在离子液体门控作用下，研究了未掺杂和 La 掺杂 SrIrO (SIO) 薄膜中电场效应 (EFE) 控制的磁电输运。尽管载流子密度调制很大，但温度依赖性电阻测量显示，在化学掺杂和 EFE 掺杂的样品中，直至 10\% 的能带填充度下均表现出绝缘行为。通过 EFE 调节激活能，证明了跨越莫特隙的双极性输运。此外，我们观察到从高温下的负磁阻 (MR) 到低温下的正 MR 的交叉。交叉温度约为 80-90 K，与填充度无关。这种温度和磁场依赖的交叉在定性上与传导机制从莫特型转变为库仑隙介导的变程跳跃 (VRH) 有关。这解释了 SIO 在电输运研究中稳健绝缘基态的起源，并突出了无序和库仑相互作用对 SIO 电学性质的重要性。
引用
@article{arxiv.1312.7015,
title = {Ambipolar Transport and Magneto-resistance Crossover in a Mott Insulator, Sr$_{2}$IrO$_{4}$},
author = {J. Ravichandran and C. R. Serrao and D. K. Efetov and D. Yi and Y. S. Oh and S. -W. Cheong and R. Ramesh and P. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.7015},
year = {2016}
}