SrBi2Ta2O9在硅上生长的替代缓冲层
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
本工作研究了YSZ和CeO2/YSZ作为金属-铁电-绝缘体-半导体(MFIS)结构中绝缘体对SrBi2Ta2O9 (SBT)生长的影响。结果表明，仅使用YSZ只能获得a轴取向的焦绿石相。另一方面，使用CeO2/YSZ双层缓冲层可得到c轴取向的SBT，且无非晶SiO2互扩散层。双层缓冲层的使用显著改善了MFIS二极管的特性。在相同沉积条件下，记忆窗口可从0.3 V增大至0.9 V。从压电响应来看，SBT薄膜中可清晰识别出纳米尺度的铁电畴。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0003356,
title = {Alternative Buffer-Layers for the Growth of SrBi2Ta2O9 on Silicon},
author = {J. Schumacher and J. C. Martinez and F. Martin and M. Maier and H. Adrian and R. Raiteri and H. J. Butt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0003356},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 9 figures, 13 referneces