全金属电栅控二硒化钽开关与逻辑电路
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1 材料科学
摘要
我们报道了具有二硒化钽薄膜导电沟道的全金属三端器件的制备与性能。作为概念验证演示，2H-TaSe2层是从通过化学气相输运法生长的单晶上机械剥离而成的。具有纳米级厚度的器件表现出强烈的非线性电流 - 电压特性、异常的光学响应以及室温下的电栅控效应。我们发现，薄膜 2H-TaSe2-Ti/Au器件中的漏源电流可重复地显示出从高阻态到导通态的突变，其阈值可通过栅极电压调节。原则上，这种电流 - 电压特性可用于实现抗辐射的全金属逻辑电路。这些结果可能为范德华材料薄膜开辟新的应用空间。
引用
@article{arxiv.1312.6863,
title = {All-Metallic Electrically-Gated Tantalum Diselenide Switches and Logic Circuits},
author = {J. Renteria and R. Samnakay and C. Jiang and T. R. Pope and P. Goli and Z. Yan and D. Wickramaratne and T. T. Salguero and A. G. Khitun and R. K. Lake and A. A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.6863},
year = {2015}
}
备注
22 pages; 8 figures