硅上稀土氧化物的吸附物介导生长
材料科学
2013-04-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在一项对比研究中，通过反应分子束外延在经氯、镓和银钝化的 Si(111) 上沉积了超薄氧化铈薄膜。这些薄膜的结晶度通过 X 射线驻波进行了表征，而稀土氧化物（REOx）薄膜的氧化态和化学界面成分则通过硬 X 射线光电子能谱进行了揭示。使用 Cl 作为钝化剂使得 REOx 薄膜发生外延生长，所得薄膜具有高结晶度且 RE 金属处于 3+ 氧化态，同时有效抑制了界面处硅酸盐和氧化硅的形成。相比之下，Ga 和 Ag 的预吸附产生了质量较差的薄膜，在 Ag 的情况下，其结晶度甚至低于未经钝化的情况。进一步研究表明，Cl 钝化也能产生高质量的超薄氧化镧薄膜，这促进了在氧化镧 REOx 多层膜上生长有序度良好的氧化铈。
引用
@article{arxiv.1303.7414,
title = {Adsorbate-Mediated Growth of Rare-Earth Oxides on Silicon},
author = {Björn Kaemena and Jan Ingo Flege and Jens Falta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.7414},
year = {2013}
}
备注
11 pages, 9 figures