单层单元 CuO$_4$ La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_{4}$ 薄膜的生长
超导电性
2015-06-24 v1
摘要
我们发展了一种利用分子束蒸发长大高品质超薄 LaSrCuO 薄膜的方法，通过添加同质面外生缓冲层以最小化薄膜结构在界面处的降解。该方法的优势在于使单层 CuO LaSrCuO 薄膜的最小厚度得以进一步降低。我们的主要结果表明，厚度仅为一个单元层（仅两个氧化铜平面）的薄膜在 SrLaAlO 衬底上 exhibits 超导临界温度为 12.5 K（零电阻），且面内磁场渗透深度 = 535 nm。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302261,
title = {Growth of Single Unit-Cell Superconducting La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_{4}$ Films},
author = {A. Rufenacht and P. Chappatte and S. Gariglio and Ch. Leemann and J. Fompeyrine and J. -P. Locquet and P. Martinoli},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302261},
year = {2015}
}
备注
to be published in "Solid State Electonics" special issue, conference proceedings of the 9th Workshop on Oxide Electronics, St-Pete Beach, FL, 20-23 november 2002 : 12 pages 4 figures in preprint version