具有内禀类塞曼场拓扑绝缘体中的声学角态
介观与纳米尺度物理
2022-02-25 v1
摘要
高阶拓扑绝缘体（HOTIs），如具有拓扑角态者，已成为拓扑物理领域蓬勃发展的课题。但HOTIs与由Z_2指数刻画的已被充分研究的一阶拓扑绝缘体之间鲜有联系。然而，最近有提案断言，可在HOTIs与Z_2拓扑绝缘体之间建立重要桥梁：当施加面内塞曼场时，可在Z_2拓扑绝缘体中诱导出HOTIs的特征——角态。此类塞曼场可由铁磁邻近效应或磁性原子掺杂产生，这显然涉及极大的实验复杂性。本文表明，设计为耦合声学腔双层的声子晶体，恰好承载具内禀面内塞曼场的Kane-Mele模型。我们观察到沿锯齿形边的螺旋边缘态打开能隙，且局域于样品角部的角态出现在能隙中，证实了塞曼场诱导的效应。我们进一步展示了六角环形样品中外角与内角处角态的引人注目的对比特性。
引用
@article{arxiv.2008.06272,
title = {Acoustic corner states in topological insulators with built-in Zeeman-like fields},
author = {Xueqin Huang and Jiuyang Lu and Zhongbo Yan and Mou Yan and Weiyin Deng and Gang Chen and Zhengyou Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.06272},
year = {2022}
}