基于非线性离子漂移模型的二氧化钛忆阻器的 Abel 动力学
介观与纳米尺度物理
2011-05-16 v1 可精确求解与可积系统
摘要
我们给出了具有任意阶窗函数的二氧化钛忆阻器的解析解，该模型假设了非线性离子漂移模型。作为所得解，状态特性曲线被证明是确定工作点、波形和饱和水平的有用工具。通过使用这一表征工具，揭示了在相同输入信号下，不同初始条件可输出完全不同的 u-i 轨道动力学，这正是忆阻器的独特性。该方法可类比于使用 BJT 或 MOS 晶体管的特性曲线。基于此模型，我们进一步提出了一类符合 Abel 微分方程的解析可解忆阻系统。基于线性和非线性离子漂移模型的二氧化钛忆阻器的状态方程（EOS）是典型的可积例子，可归入此 Abel 忆阻器类。这一庞大的 Abel 忆阻系统族为获取和分析闭合形式的解提供了一个框架，有助于在更确定性的层面上对其进行表征。
引用
@article{arxiv.1105.2668,
title = {Abel Dynamics of Titanium Dioxide Memristor Based on Nonlinear Ionic Drift Model},
author = {Weiran Cai and Frank Ellinger and Ronald Tetzlaff and Torsten Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2668},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 3 figures