石墨烯中库仑无序与屏蔽的简单模型

我们提出了一个石墨烯中的无序简单模型，假设在二氧化硅衬底内部随机分布着浓度均为 $N/2$ 的正负中心。我们表明，在零栅压下，此类无序会在石墨烯中产生二维电子和空穴浓度 $n_0 \sim N^{2/3}$。电子和空穴存在于空间交替分布的“水洼”中，其尺寸为 $R_0 \sim N^{-1/3}$。典型的水洼仅包含一个或两个载流子，这与最近的扫描单电子晶体管实验结果一致。