库仑屏蔽与无序对基于纳米图案化半导体的人工石墨烯的影响
介观与纳米尺度物理
2014-12-01 v1
摘要
栅极系统中的剩余无序是基于二维电子气构建人工石墨烯的主要障碍。由于多体效应，这种无序可以被显著屏蔽或减弱。为了分析屏蔽/无序问题，我们考虑了具有两个金属栅极的 AlGaAs/GaAs/AlGaAs 异质结。我们表明，最不易受无序影响的设计对应于弱耦合机制（与紧束缚相反），该机制通过量子反点系统实现。最相关的无序类型是面积无序，即量子反点面积的随机变化。面积无序会导致液滴的形成。其他类型的无序，如位置无序和形状无序，实际上无关紧要。液滴的形成及其重要性极大地取决于纳米图案化异质结的参数。参数变化 20--30\% 可使液滴的相对振幅改变数个数量级。基于此分析，我们制定了旨在构建人工石墨烯的异质结可接受设计标准。
引用
@article{arxiv.1411.7440,
title = {Effects of Coulomb screening and disorder on artificial graphene based on nanopatterned semiconductor},
author = {O. A. Tkachenko and V. A. Tkachenko and I. S. Terekhov and O. P. Sushkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.7440},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 12 figures