用于垂直提取单量子点发射的圆形介质光栅
光学
2011-09-28 v2 量子物理
摘要
我们展示了一种由悬浮GaAs薄膜中部分刻蚀的环形沟槽组成的纳米结构，旨在高效且具有中等宽带（约5 nm）地从单InAs量子点提取发射。模拟表明，嵌入该纳米结构中心的偶极子向上辐射至自由空间时具有近高斯远场，允许使用高数值孔径（NA=0.7）光学器件实现> 80%的收集效率，并具有12倍的Purcell辐射速率增强。制备的器件在使用NA=0.42物镜时表现出约10%的光子收集效率，比未图案化GaAs中的量子点提高了20倍。激子寿命的四倍减少表明了中度的Purcell增强。
引用
@article{arxiv.1104.0271,
title = {A circular dielectric grating for vertical extraction of single quantum dot emission},
author = {M. Davanco and M. T. Rakher and D. Schuh and A. Badolato and K. Srinivasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0271},
year = {2011}
}
备注
(3 pages)