a-Si 中漂浮键的 Wannier 函数表征
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们通过密度泛函总能计算方法，研究了无定形硅中超配位缺陷的电子结构，旨在理解在微观尺度上拓扑结构与电子性质之间的关系。计算出最大局化 Wannier 函数，以表征这些缺陷的键合方式及电子性质。五配位缺陷导致电子态延伸至多个最近邻原子，从而产生非常可极化的键合，以及异常较高的 Born 有效电荷。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9911485,
title = {Wannier-functions characterization of floating bonds in a-Si},
author = {M. Fornari and N. Marzari and M. Peressi and A. Baldereschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9911485},
year = {2007}
}
备注
Proceedings of the "Workshop of Computational Material Science, Cagliari 1999"