a-Si 和 a-Si:H 中配位缺陷的第一性原理计算表征
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
我们运用第一性原理拟净函数方法研究了 a-Si 和 a-Si:H 中的配位缺陷，包括其形成及氢与其演化过程。通过对价电荷分布和“电子局域化函数”(ELF)的精确分析，能够消除键合配置可能的歧义，特别是清晰地识别出三配位(T_3)和五配位(T_5)配位缺陷。我们发现，间隙中的电子态可以关联到这两种缺陷，无论是哪种情况，与氢的相互作用都可以降低间隙中态的密度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9906119,
title = {Coordination defects in a-Si and a-Si:H : a characterization from first principles calculations},
author = {M. Peressi and M. Fornari and S. de Gironcoli and L. De Santis and A. Baldereschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9906119},
year = {2009}
}
备注
To appear in Philos. Mag