a-Si 和 a-Si:H 中的浮动键和间隙态：第一性原理计算
材料科学
2012-07-30 v1
摘要
我们通过 ab initio 势egro 计算详细研究了 a-Si 和 a-Si:H 中五配位 (T_5) 缺陷的电子结构，以及它们在形成期间及其氢化演化过程中的行为。原子投影态密度 (DOS) 和对价电荷分布的精确分析清晰表明，T_5 缺陷通过其最近邻居对间隙态的产生起着根本性作用。与氢的相互作用可以降低间隙中的 DOS，从而消除 T_5 缺陷。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9906223,
title = {Floating bonds and gap states in a-Si and a-Si:H from first principles calculations},
author = {M. Fornari and M. Peressi and S. de Gironcoli and A. Baldereschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9906223},
year = {2012}
}
备注
To appear in Europhysics Lett