硅和砷化镓的第一性原理万尼尔函数
材料科学
2009-10-28 v1
摘要
我们在密度泛函理论框架内，对Si和GaAs的万尼尔函数进行了自洽的实空间计算。我们相对于在晶体平移下表现为万尼尔函数且在极小值处正交的轨道来最小化总能泛函。利用万尼尔函数计算了这两种半导体的总能、晶格常数、体弹模量以及区中心TO声子频率，其精度达到了当前从头算计算所需的要求。此外，利用万尼尔函数的中心计算了零电场下Si和GaAs的宏观极化。通过极化的有限差分得到的GaAs有效电荷与线性响应理论的结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9611176,
title = {First-Principles Wannier Functions of Silicon and Gallium Arsenide},
author = {Pablo Fernández and Andrea Dal Corso and Francesco Mauri and Alfonso Baldereschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9611176},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 2 PostScript figures, RevTeX, to appear in Physical Review B