石墨烯p-n结中的韦塞拉戈透镜效应：经典与量子效应
介观与纳米尺度物理
2015-09-09 v1
摘要
针对实际注入引线，数值研究了石墨烯p-n结中韦塞拉戈透镜效应的可行性。考虑了两种具有吸收或反射侧边缘、带两个窄引线的不同装置。这使我们能够分别确定边缘和p-n界面处散射对电子聚焦的影响。半经典和紧束缚模拟均显示出透射概率中的一个显著峰值，该峰值归因于韦塞拉戈透镜效应。我们研究了该峰值对注入器宽度、p-n界面位置以及不同栅极电势分布的鲁棒性。此外，还考虑了短程和长程杂质散射的影响。
引用
@article{arxiv.1509.02370,
title = {Veselago lensing in graphene with a p-n junction: classical versus quantum effects},
author = {S. P. Milovanovic and D. Moldovan and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.02370},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 7 figures