三维手性Veselago透镜效应

光在进入负折射率介质时聚焦的效应，即Veselago透镜效应，可实现衍射极限下的光学成像。类似地，电子跨$pn$结聚焦可实现具有技术前景的电子Veselago透镜。然而其应用范围受限于缺乏三维平台且对自旋或手性等计算自由度不敏感。本文我们提出一种单材料三维电子Veselago透镜，可有选择地聚焦给定手性的电子。利用拓扑半金属的手性反常，可为单一手性创建尖锐的$pn$结，即手性Veselago透镜，并用磁场调至理想透镜条件。我们估计手性Veselago透镜可在非局域输运和谱学实验中观测到。特别地，我们展示手性Veselago透镜导致巨大的非局域磁电阻。