双层石墨烯中的带内电子聚焦
介观与纳米尺度物理
2012-06-26 v2
摘要
我们提出了一种在双层石墨烯中实现谷选择性电子 Veselago 透镜的方案。我们证明，在存在适当取向的势垒台阶时，从点源发出的低能电子可以在同一能带内相干地重新聚焦。该现象源于能带结构的三维扭曲，其导致负折射率。我们表明，干涉图样可以通过外部机械应变来控制。
关键词
引用
@article{arxiv.1203.6517,
title = {Intraband electron focusing in bilayer graphene},
author = {Csaba G. Péterfalvi and László Oroszlány and Colin J. Lambert and József Cserti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.6517},
year = {2012}
}
备注
14 pages, 8 figures