应变石墨烯 p-n 结中的谷依赖洛伦兹力与阿哈罗诺夫-玻姆相位
介观与纳米尺度物理
2019-05-01 v4
摘要
石墨烯 p-n 结中的 Veselago 透镜聚焦在实现新一代电子光学器件方面很有前景。然而，p-n 结中应变诱导的阿哈罗诺夫-玻姆干涉效应此前尚未被讨论。我们提供了一种基于 Veselago 透镜的实验可行装置，其中应变的存在可导致谷依赖的洛伦兹力和阿哈罗诺夫-玻姆干涉。特别地，通过采用格林函数和紧束缚方法，我们研究了 p-n 结中位错和线缺陷引起的应变，并展示了如何检测由此产生的阿哈罗诺夫-玻姆相位与干涉。此外，对于不同的应变构型，例如对应于波纹石墨烯的构型，我们发现由赝磁场引起的谷分裂的强烈特征。我们的方案可用于绘制弹性形变与缺陷图，以及研究石墨烯中的谷依赖效应。
引用
@article{arxiv.1807.08835,
title = {Valley-dependent Lorentz force and Aharonov-Bohm phase in strained graphene p-n junction},
author = {Sanjay Prabhakar and Rabindra Nepal and Roderick Melnik and Alexey A. Kovalev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.08835},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 9 figures