拓扑缺陷诱导的石墨烯中载流子散射
强关联电子
2010-10-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了石墨烯准粒子被拓扑缺陷（以孔洞、五边形和七边形为代表）的散射。对于孔洞的情况，我们得到了相移，并发现低浓度下它们对电子输运似乎无关紧要，对电阻率的贡献可忽略不计。当五边形被引入晶格，且费米子流被约束在其中一个五边形附近运动时，我们意识到该电流会以某个角度被散射，该角度仅取决于五边形的数量以及电流所取的一侧。这种偏转可以通过杨氏型实验来确定，即通过被五边形散射的两个电流分支之间的干涉图样。在七边形的情况下，电流同样被散射，但会偏离缺陷，从而阻止了同一七边形上两束电流之间的干涉。
引用
@article{arxiv.1006.3586,
title = {Scattering of charge carriers in graphene induced by topological defects},
author = {Jakson M. Fonseca and Winder A. Moura-Melo and Afranio R. Pereira},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.3586},
year = {2010}
}