二维铁磁双层中的谷极化畴壁磁子
材料科学
2020-10-09 v3 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
谷电子学是一个依靠谷自由度实现新型电子功能的前沿技术领域。双层石墨烯中局限于畴壁的拓扑谷极化电子因其谷电子学潜力而被广泛研究。本文研究了具有共线序的二维蜂窝状铁磁双层(FBL)中畴壁激发的磁子版本。特别地,我们探究了Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)和静电掺杂(ED)对FBL中层堆叠畴壁所局限的一维磁子的存在性与特征的影响。研究发现,DMI与ED的共存丰富了FBL中的拓扑结构,但相应的畴壁磁子并不携带定义良好的谷指标。另一方面,我们表明无DMI的FBL中层堆叠畴壁构成了拓扑谷极化磁子弹道输运的一维通道。我们的理论结果为基于原子级薄拓扑磁性材料的磁子谷电子学器件带来了希望。
引用
@article{arxiv.2003.12791,
title = {Valley-polarized domain wall magnons in 2D ferromagnetic bilayers},
author = {Doried Ghader},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.12791},
year = {2020}
}