由于邻近效应诱导的交错自旋-轨道耦合，石墨烯量子点中的谷依赖输运

我们研究了一个由具有C_3v对称性的岛阵列修饰的石墨烯系统，这些岛通过邻近效应诱导量子点（IQD）区域，并产生多种自旋-轨道耦合（SOC）。我们评估了IQD阵列的输运性质，并分析了实现孤立谷电导和谷态局域化的条件。得到的透射呈现方波型行为，具有可通过调节交错本征SOC强度来调谐的宽能隙。实际的邻近效应以弱SOC强度为特征，在此范围内我们结果的分析表明，Rashba耦合是控制谷性质的重要相互作用。因此，顶栅电压可用于调谐谷极化，并对正或负入射能量切换谷散射。适当选择SOC强度会导致谷态在IQD线性阵列周围更高的局域化。这些系统可以在由石墨烯和半导体过渡金属二硫族化物（TMDs）如MoSe2、WSe2、MoS2或WS2组成的异质结构中实现。在这些设置中，诱导SOC的大小取决于扭转角，并且由于谷简并的破缺，可以在边缘以可控方式产生谷极化电流以及局域谷态。我们的发现提出了一种产生谷极化电流的替代方法，并提出了相应的谷依赖电子光学和光电器件机制。