来自正常态涨落的临界场
超导电性
2009-11-11 v3
摘要
系统地研究了 epitaxial BiSrCuO 薄膜的面内磁阻，作为 doping 随温度的函数。轨道磁导电用于提取涨落 regime 中的交叉场线 。该场线与以下 以下电导数据得到的临界场线良好一致，并表现出类似的向上拱形，从而指向临界相关长度的存在。就电阻跃迁的性质而言，讨论了其含义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512093,
title = {Upper critical field from normal state fluctuations in Bi$_2$Sr$_2$CuO$_{6+\delta}$},
author = {F. Bouquet and L. Fruchter and I. Sfar and Z. Z. Li and H. Raffy},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512093},
year = {2009}
}