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最佳掺杂高 $T_c$ 超导体的电阻上临界场与不可逆线

超导电性 2009-10-31 v1

摘要

我们报道了来自各种高 TcT_c 超导体的电阻决定的上临界场 Hc2ρ(T)H^{\rho}_{c2}(T) 和不可逆线 Hirrρ(T)H^{\rho}_{irr}(T),这些量由施加于 c 轴方向的 61 T 脉冲磁场测量得出。两种 Hc2ρ(T)H^{\rho}_{c2}(T)Hirrρ(T)H^{\rho}_{irr}(T) 的形状随材料各向异性的单调变化,且样品在低温下均未表现出 Hρ(T)H^{\rho}(T) 的饱和。正曲率异常 d2Hρ/dT2>0d^2 H^{\rho}/dT^2 > 0 在正常态各向异性最大的材料中最为显著,无论各向异性是通过改变载流子浓度还是通过比较多种最佳掺杂化合物来实现。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/9908190,
  title  = {Resistive upper critical fields and irreversibility lines of optimally-doped high-T_c cuprates},
  author = {Yoichi Ando and G. S. Boebinger and A. Passner and L. F. Schneemeyer and T. Kimura and M. Okuya and S. Watauchi and J. Shimoyama and K. Kishio and K. Tamasaku and N. Ichikawa and S. Uchida},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9908190},
  year   = {2009}
}

备注

6 pages, 4 figures, accepted for publication in Phys. Rev. B